LED芯片制造商普瑞光电(Bridgelux)欧洲营销总监TomvandenBussche指出，LED芯片生产向硅衬底的转移将使成本削减75%，这是由于硅价的下降，也是由于采用更大尺寸(8英寸)的平台可以利用那些已经转移到12英寸硅片生产的废弃晶圆厂。
VandenBussche继续补充道，普瑞光电将在今年年底前开始生产硅衬底氮化镓LED。
普瑞光电近期展示了冷白光色温4700K时光效为160流明/瓦及暖白光色温3000K时光效为125流明/瓦的硅衬底LED，这样的性能已经能够与当今较先进的器件相匹敌。现在的一个关键问题是普瑞光电能否在量产中实现同样的性能。
如果可以，那么以硅为基础的制造方法应该能使成本大幅降低，因为目前的方法主要限于4英寸晶圆，需要大量低效耗时的生产阶段，比如将GaN薄膜从蓝宝石衬底上移开的激光剥离步骤。
一些硅衬底氮化镓方法持有怀疑的人则认为，在高温MOCVD沉积过程中，由于两个晶体之间固有的晶格不匹配特性，需要生产一个复杂的缓冲层来消除晶格不匹配引起的应力，这是该方法的一个关键缺陷。他们认为，如果蓝宝石衬底的缩放困难得以解决，目前的过剩产能被吸收，那么蓝宝石材料仍然是优选。当前，产能过剩阻碍了业内一些领先的制造商向6英寸蓝宝石和碳化硅LED晶圆制造的转移。
不过其它因素也发挥了作用。Fox说，尽管目前行业的总产能利用水平仍然较低，近年来供应给中国LED厂商的大量MOCVD反应器正在生产中。
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